| 发明名称 | 磁再现头、磁头以及磁存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁再现头、磁头以及磁存储装置。如果磁阻效应膜的轨道宽度小于等于50nm，则有时产生检测电流的泄漏。上述磁再现头防止这样的检测电流的泄漏，且可靠性以及成品率高。磁再现头(10)具备：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；形成在下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜(30)；被配置成与磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜(6)；以及配置在磁阻效应膜(30)的侧壁面上的轨道宽度方向的填充膜(1)。磁阻效应膜(30)是具备自由层(36)、绝缘阻挡层(34)、固定层(32)的隧道磁阻效应膜，绝缘阻挡层(34)是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。 | ||
| 申请公布号 | CN101465126A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810184330.5 | 申请日期 | 2008.12.10 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 岩崎富生 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/39(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 许海兰 |
| 主权项 | 1. 一种磁再现头，其特征在于，具备：下部磁屏蔽层；上部磁屏蔽层；形成在上述下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜；被配置成与上述磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向的第1填充膜；以及被配置成与上述磁阻效应膜的轨道宽度方向的两壁面相接的第2填充膜，上述磁阻效应膜是具备自由层、固定层、形成在上述自由层与固定层之间的绝缘阻挡层的隧道磁阻效应膜，上述绝缘阻挡层包括含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜以及钛氧化膜中的任意一个氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||