| 发明名称 | 具有含硅铜布线层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。 | ||
| 申请公布号 | CN101465336A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200910003470.2 | 申请日期 | 2002.11.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 大音光市;竹胁利至;宇佐美达矢;山西信之 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;谢丽娜 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：绝缘底层(101)；形成在所述绝缘底层上的绝缘夹层(103)，所述绝缘夹层具有沟槽；由形成在所述沟槽中的Ta、TaN、Ti、TiN、TaSiN和TiSiN中的一种制成的阻挡金属层(106)；在所述阻挡金属层上的不含有铜硅化物并埋在所述沟槽中的含有硅的铜层(111)，所述含有硅的铜层具有少于8atoms％的硅组分；以及形成在所述含有硅的铜层和所述绝缘夹层上并由SiCN、SiC、SiOC和有机材料中的一种制成的铜扩散阻挡层(109)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||