| 发明名称 | 碲化镉基光伏器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及碲化镉基光伏器件及其制造方法。碲化镉(CdTe)基光伏器件包括含有镉和碲化物的CdTe层。CdTe基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层。由于衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层，其既是挠性的，又足以抵抗超过350℃和经常超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101467263A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200780022009.0 | 申请日期 | 2007.04.18 |
| 申请人 | 道康宁公司 | 发明人 | D·E·卡佐里斯;B·朱 |
| 分类号 | H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0392(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;陈建芳 |
| 主权项 | 1. 碲化镉(CdTe)基光伏器件(104)，其包括：CdTe层，其包括镉和碲化物；和衬底(106)，其包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层(306)。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||