半导体器件

摘要

在ESD保护元件中，形成多个源极区和多个镇流电阻区。在镇流电阻区中接触沟道区的区域形成漏极区，在通过STI区与漏极区隔离的区域形成n⁺型扩散区。在漏极区上提供第三接触，在n⁺型扩散区上形成第一和第二接触，并且第一接触连接到焊盘。第二接触通过金属布线耦合到第三接触。第一和第二接触沿栅极的宽度方向布局。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的上表面为第一导电类型；在所述半导体衬底的所述上表面形成的第二导电类型晶体管；在与所述半导体衬底的所述上表面的所述第二导电类型晶体管绝缘的位置形成的第二导电类型扩散层；布线，其设置在一区域中，该区域覆盖所述第二导电类型晶体管的源极和漏极之一的正上方的区域的至少一部分以及所述第二导电类型扩散层的正上方的区域的至少一部分；将焊盘耦合到所述第二导电类型扩散层的第一接触；将所述第二导电类型扩散层耦合到所述布线的第二接触；以及将所述布线耦合到所述第二导电类型晶体管的源极和漏极之一的第三接触，其中所述布线和所述第二导电类型扩散层具有各自的相互交叉的纵轴，并且从所述第一接触到所述第二接触的方向是所述第二导电类型晶体管的栅极的宽度方向。