| 发明名称 | 具有阻止反向电流功能的高边功率MOSFET开关管组 | ||
| 摘要 | 一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组，包括第一功率MOSFET管，输入电压端，输出电压端，栅极驱动端，该开关管组进一步包括：第二功率MOSFET管，其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接，所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接，所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接，所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101453157A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710196045.0 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 杨志江 |
| 分类号 | H02M1/00(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭晓东 |
| 主权项 | 1、一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组，包括第一功率MOSFET管，输入电压端，输出电压端，栅极驱动端，其特征在于，该开关管组进一步包括：第二功率MOSFET管，其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接，所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接，所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接，所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接。 | ||
| 地址 | 611731四川省成都市高新西区科新路8号 | ||