接触孔的制造方法

摘要

本发明披露一种接触孔的制造方法。提供半导体基底，其具有导电区域，于该半导体基底及该导电区域上沉积介电层，接着于该介电层上涂布蚀刻阻挡层、含硅的硬掩模底部抗反射(SHB)层以及光致抗蚀剂层。随后，进行光刻工艺，于该光致抗蚀剂层中形成第一开口，再利用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，经由该第一开口蚀刻该SHB层，以于该SHB层中形成具有渐缩倾斜侧壁的第二开口，然后，分别利用该SHB层以及该蚀刻阻挡层作为蚀刻掩模，经由该第二开口蚀刻该蚀刻阻挡层以及该介电层，以于该介电层中形成接触孔，暴露出部分的该导电区域，其中经由该第一开口蚀刻该SHB层的蚀刻工艺利用全氟甲烷气体以及含氢的氟烷气体作为蚀刻气体。

主权项

1、一种接触孔的制造方法，包括：提供半导体基底，其上具有至少一导电区域；于该半导体基底以及该导电区域上沉积介电层；于该介电层上涂布蚀刻阻挡层；于该蚀刻阻挡层上涂布含硅的硬掩模底部抗反射层；于该含硅的硬掩模底部抗反射层上涂布光致抗蚀剂层；进行光刻工艺，于该光致抗蚀剂层中形成第一开口，其具有显影后关键尺寸；利用该光致抗蚀剂层作为一蚀刻掩模，经由该第一开口蚀刻该含硅的硬掩模底部抗反射层，以于该含硅的硬掩模底部抗反射层中形成具有渐缩倾斜侧壁的第二开口，其底部具有蚀刻后关键尺寸，且该蚀刻后关键尺寸为该显影后关键尺寸的40％至80％；以及分别利用该含硅的硬掩模底部抗反射层以及该蚀刻阻挡层作为蚀刻掩模，经由该第二开口蚀刻该蚀刻阻挡层以及该介电层，以于该介电层中形成一接触孔，暴露出部分的该导电区域，其中经由该第一开口蚀刻该含硅的硬掩模底部抗反射层的蚀刻工艺利用全氟甲烷气体以及含氢的氟烷气体作为蚀刻气体。