| 发明名称 | 磁性存储器及其制造方法与写入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。磁性存储器包括一第一磁性隧穿结构及一第二磁性隧穿结构。第二磁性隧穿结构与第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于第一磁性隧穿结构的体积。根据本发明，每一磁性存储器具有二位的数据存储量，不仅减少了磁性存储器所需要占用的体积，更增加了磁性存储器的写入速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101452990A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810083018.7 | 申请日期 | 2008.03.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;谢光宇 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种磁性存储器，包括：一第一磁性隧穿结构；以及一第二磁性隧穿结构，与该第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于该第一磁性隧穿结构的体积。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||