用于感测应用的有机场效应晶体管

摘要

本发明涉及一种场效应晶体管，其包括：栅电极层，第一电介质层，源电极，漏电极，有机半导体和第二电介质层，其中第一电介质层位于栅电极层上，源电极，漏电极和有机半导体位于第一电介质层上，源电极和漏电极与有机半导体接触，其中第二电介质层放置于源电极、漏电极和有机半导体的组件上，且其中，在场效应晶体管工作期间，包括栅电极层和第一电介质层的组件的电容低于第二电介质层的电容。本发明还涉及一种包括这种场效应晶体管的传感器系统以及将根据本发明的传感器系统用于检测分子。

主权项

1、一种场效应晶体管(1)，其包括：栅电极层(2)，第一电介质层(3)，源电极(4)，漏电极(5)，有机半导体(6)，以及第二电介质层(7)，其中所述第一电介质层(3)位于所述栅电极层(2)上，所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述有机半导体(6)位于所述第一电介质层(3)上方，所述源电极(4)和所述漏电极(5)与所述有机半导体(6)接触，并且其中，所述第二电介质层(7)置于源电极(4)、漏电极(5)和有机半导体(6)的组件上，其特征在于，在所述场效应晶体管(1)工作期间，包括所述栅电极层(2)和所述第一电介质层(3)的组件的电容低于所述第二电介质层(7)的电容。