| 发明名称 | 低介电常数的等离子聚合薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电常数等离子聚合薄膜，其使用直链有机/无机前驱体的低介电常数等离子聚合薄膜和通过等离子增强化学气相沉积和使用RTA装置退火来制造。该低介电常数等离子聚合薄膜由于具有非常高的热稳定性、低的介电常数和优良的机械性能，可有效用于具有该薄膜结构的多层金属薄膜的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101450995A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810182570.1 | 申请日期 | 2008.12.05 |
| 申请人 | 成均馆大学校产学协力团 | 发明人 | 郑东根;李晟宇;禹知亨 |
| 分类号 | C08G77/50(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 1、一种低介电常数等离子聚合薄膜，其由以下的式1和式2代表的前驱体进行制造：式1<img file="A200810182570C00021.GIF" wi="581" he="278" />其中R<sup>1</sup>-R<sup>6</sup>都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C<sub>1～5</sub>烷基基团组成的组中，且X是氧原子或C<sub>1～5</sub>亚烷基基团；和式2<img file="A200810182570C00022.GIF" wi="787" he="275" />其中，R<sup>1</sup>-R<sup>5</sup>都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C<sub>1～5</sub>烷基基团组成的组中，且R<sup>6</sup>选自由氢原子和取代或未取代的C<sub>1～5</sub>烷基基团以及烷氧硅烷基团组成的组中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||