MOS晶体管的形成方法

摘要

一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，包括：以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；对源极区、漏极区进行退火。本发明通过改变形成MOS晶体管的源/漏极的离子注入次序，在形成MOS晶体管的源/漏极工艺中，先注入原子序数较小离子，后注入原子序数较大离子，加大了源/漏极与半导体衬底中的p型掺杂阱之间形成的PN结耗尽宽度，降低了源/漏极结电容和漏电流。

主权项

1. 一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有栅极结构的半导体衬底；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；对源极区、漏极区进行退火。