发明名称 一种烃类裂解装置在线预处理抑制结焦的方法
摘要 本发明涉及一种烃类裂解装置在线抑制结焦的方法。该方法在烃类装置烧焦完毕后,用含有硫、硅和镁的一种或几种化学物质同惰性气体加入到炉管进行预处理,化学物质可以一批或分批加入,预处理温度为400℃~1000℃,预处理时间1~8小时。该技术首先使炉管表面催化剂毒化,然后沉积一层致密的陶瓷涂层。预处理所得涂层致密,表面光滑,且涂层与炉管之间结合紧密,大大减少了烃类裂解装置的结焦,延长了生产周期。该方法具有装置简单、易于实施并可以重复实施的特点,也可以随原料一起加入到裂解炉。经过石脑油裂解试验,与未涂层实验相比结焦降低约68%。
申请公布号 CN100497529C 申请公布日期 2009.06.10
申请号 CN200610028933.7 申请日期 2006.07.14
申请人 华东理工大学 发明人 徐宏;周建新;刘京雷;戚学贵;张莉;侯峰;姜志明
分类号 C10G9/16(2006.01)I 主分类号 C10G9/16(2006.01)I
代理机构 上海顺华专利代理有限责任公司 代理人 谈顺法
主权项 1、一种烃类裂解装置在线预处理抑制结焦的方法,其特征在于,所述的方法包括如下步骤:1)烃类化合物裂解炉管清焦操作后,在0~3个大气压下,将裂解设备预热至400℃~1000℃温度,将含硫、硅化合物的预处理剂通过载气或原料气加入到烃类裂解炉管,其中硫和硅摩尔比为1∶1~1∶100,然后通入水蒸气,使含硫、硅化合物的预处理剂在载气或原料气中的浓度为1-3000ppm,使烃类裂解装置与预处理剂高温气体接触,发生反应,在裂解管内表面沉积出含硫、二氧化硅的混合涂层,涂层处理时间为1-4小时,涂层厚度为2-5μm;2)继续加入含硅的化合物和含镁的化合物,或同时加入含硅镁的化合物,其中镁和硅摩尔比为1∶1~1∶100,处理时间为1~4小时,涂层厚度在2-8μm,硅和镁化合物在载气或原料气和水蒸气中的浓度为1~5000ppm;其中,含硫、硅的化合物及含硅、镁的化合物分别选自:(1)一种或多种的:含硫、硅的化合物,或含硅和硫的化合物,或含硅化合物、含硫化合物的混合物;(2)一种或多种的:含硅、镁的化合物,或含硅和镁化合物,或含硅化合物、含镁化合物的混合物。
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