| 发明名称 | 一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法。本发明以尖晶石型铁氧体及四氧化三铁为磁性物种，阴离子层状材料LDHs为主体，卡托普利为插层客体，通过自组装实现了Cpl-LDHs/MP的结构设计。该磁性卡托普利缓释剂为壳核型结构，即在磁性纳米颗粒外包覆层状材料Cpl-LDHs，比饱和磁化强度为1.0-6.0emu/g，其颗粒粒度分布在20-200nm。该磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10-50％；缓释持效期可达到0.4h-13h。 | ||
| 申请公布号 | CN100496613C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200410090817.9 | 申请日期 | 2004.11.15 |
| 申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 段雪;张慧;孙辉 |
| 分类号 | A61K47/48(2006.01)I;A61K31/401(2006.01)I;A61K31/555(2006.01)I;A61K9/00(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I | 主分类号 | A61K47/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 何俊玲 |
| 主权项 | 1. 一种磁性靶向缓释型卡托普利，其化学式为：(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y其中M2+是二价金属离子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一种；M3+是三价金属离子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种；Cpl-、Cpl2-分别代表层间一价、二价卡托普利阴离子；Bn-为荷电量为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种；0. 1<X<0.8；a、b、c分别为Cpl-、Cpl2-、Bn-的数量，且a+2×b+n×c＝X；m为结晶水数量，0.01<m<4；MP代表磁性物质MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一种；y为MP的数量，0.001<y<1；该磁性缓释剂的比饱和磁化强度为1.0-6.0emu/g，粒度分布在20-200nm，磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10-50％；缓释持效期是0.4-13h。 | ||
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