| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过镶嵌方法在公共衬底上形成具有FinFET＝s和平面器件如MOSFET＝s的半导体结构的方法。利用镶嵌工艺在衬底上形成FinFET的半导体鳍片，其中鳍片生长被中断，以注入离子，随后所述注入的离子转变成将鳍片与衬底电隔离的区域。因为用于形成镶嵌-主体鳍片的掩模也用作注入离子的注入掩模，所以隔离区与鳍片自对准。在形成FinFET以及更具体地形成FinFET的栅极的处理过程中，所述鳍片可以由构图层支撑。通过使FinFET周围的衬底凹入和用介质材料至少部分地填充凹槽的自对准工艺也可以提供围绕FinFET的电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN100499123C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610108398.6 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂;R·A·小布思 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：单晶的体衬底；多个平面器件，在所述单晶的体衬底中形成；多个鳍片型场效应晶体管，每个与所述单晶的体衬底电隔离和与所述平面器件电隔离，其中所述鳍片型场效应晶体管的每个包括半导体鳍片；以及多个隔离区，每个在相应的一个所述鳍片型场效应晶体管的所述半导体鳍片和所述体衬底之间；其中所述隔离区在部分形成所述半导体鳍片后形成。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||