| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底的单元区中形成的浮置栅极图案；从浮置栅极图案延伸到单元区周围的界面区的虚拟浮置栅极图案；和在半导体衬底的单元区处与浮置栅极图案交叉的控制栅极图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101452940A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810178968.8 | 申请日期 | 2008.12.03 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 洪志镐 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：在半导体衬底的单元区中的浮置栅极图案；从所述浮置栅极图案延伸到所述单元区周围的界面区中的虚拟浮置栅极图案；和在所述半导体衬底的所述单元区中与所述浮置栅极图案交叉的控制栅极图案。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||