| 发明名称 | 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10<sup>-6</sup>Ω·cm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN101452843A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710178771.X | 申请日期 | 2007.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 吴茹菲;张海英;尹军舰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，其特征在于，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||