| 发明名称 | PIN光电检测器 | ||
| 摘要 | 一种PIN光电检测器包括：第一半导体接触层，面积大于第一半导体接触层的半导体吸收层，位于第一半导体接触层与半导体吸收层之间的半导体钝化层，和第二半导体接触层。半导体吸收层和半导体钝化层被定位于第一与第二半导体接触层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100499173C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200480015226.3 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 发明人 | 柯呈佶;巴里·莱维尼 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/062(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1. 一种PIN光电检测器，包括：按小型台面结构配置的第一半导体接触层；半导体吸收层，所述小型台面结构具有小于半导体吸收层的面积；位于小型台面结构与半导体吸收层之间的第一半导体钝化层，相对于第一半导体钝化层与半导体吸收层，小型台面结构只与第一半导体钝化层直接物理接触；第二半导体接触层，所述半导体吸收层和第一半导体钝化层定位在所述小型台面与第二半导体接触层之间；第一带隙渐变层，它被定位于第一半导体钝化层与半导体吸收层之间；和第二带隙渐变层，它被定位于半导体吸收层与第二半导体接触层之间。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||