发明名称 |
等离子体处理装置及其屏蔽环 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体屏蔽环,包括固定连接于一体的上、下两层,其上层为耐等离子体的绝缘层(21),其下层为导体层(22);至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22),所述排气通道(23)为弯折通道。本发明还公开了一种包括所述等离子体屏蔽环(2)的等离子体处理装置。在排气通道(23)为弯折通道的情况下,绝大多数带电粒子将不可避免地与其弯折的内壁发生碰撞,进而失去所携带的电荷,转化为无害的中性粒子。因此,本发明所提供的等离子体屏蔽环(2)对等离子体的约束效果显著提高;本发明所提供的等离子体处理装置的内部结构不易受到破坏,其使用寿命显著延长。 |
申请公布号 |
CN101452821A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200710178984.2 |
申请日期 |
2007.12.07 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
南建辉;宋巧丽 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1、一种等离子体屏蔽环,包括固定连接于一体的上、下两层,其上层为耐等离子体的绝缘层(21),其下层为导体层(22);至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22),其特征在于,所述排气通道(23)为弯折通道。 |
地址 |
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼北方微电子 |