发明名称 等离子体处理装置及其屏蔽环
摘要 本发明公开了一种等离子体屏蔽环,包括固定连接于一体的上、下两层,其上层为耐等离子体的绝缘层(21),其下层为导体层(22);至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22),所述排气通道(23)为弯折通道。本发明还公开了一种包括所述等离子体屏蔽环(2)的等离子体处理装置。在排气通道(23)为弯折通道的情况下,绝大多数带电粒子将不可避免地与其弯折的内壁发生碰撞,进而失去所携带的电荷,转化为无害的中性粒子。因此,本发明所提供的等离子体屏蔽环(2)对等离子体的约束效果显著提高;本发明所提供的等离子体处理装置的内部结构不易受到破坏,其使用寿命显著延长。
申请公布号 CN101452821A 申请公布日期 2009.06.10
申请号 CN200710178984.2 申请日期 2007.12.07
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 南建辉;宋巧丽
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1、一种等离子体屏蔽环,包括固定连接于一体的上、下两层,其上层为耐等离子体的绝缘层(21),其下层为导体层(22);至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22),其特征在于,所述排气通道(23)为弯折通道。
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