发明名称 | 应用于集成电路的噪声滤波器 | ||
摘要 | 本发明涉及噪声滤波器,具体的讲为一种应用于集成电路的噪声滤波器,为了解决现有技术中噪声介于VDD与VSS之间无法防止噪声的问题,设于一集成电路的一输入接脚与一输入缓冲器的一输入端之间,该噪声滤波器包含:一互补型金属氧化物半导体反向器,该互补型金属氧化物半导体反向器的一输入端及一输出端分别电连接该输入接脚与该输入缓冲器的该输入端;一第一电容器,是设于该集成电路的一第一电源端与该互补型金属氧化物半导体反向器的该输出端之间;以及一第二电容器,是设于该集成电路的一第二电源端与该互补型金属氧化物半导体反向器的该输出端之间。本发明的有益效果在于,可用来避免因外部的电磁干扰所造成的大规模集成电路机能故障。 | ||
申请公布号 | CN100499369C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
申请号 | CN200410008516.7 | 申请日期 | 2004.03.11 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 小池秀治 |
分类号 | H03H11/46(2006.01)I | 主分类号 | H03H11/46(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
主权项 | 1、一种应用于集成电路的噪声滤波器,是设于一集成电路的一输入接脚与一输入缓冲器的一输入端之间,其特征在于包含:一转换闸,该转换闸包括一PMOS晶体管和一NMOS晶体管,PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极耦合于转换闸的输入端,PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极耦合于转换闸的输出端,所述PMOS晶体管的闸极与所述NMOS晶体管的闸极耦合于同一电源端,所述同一电源端电压为高电压准位的二分之一;一第一电容器,是设于该集成电路的一第一电源端与该输入缓冲器的该输入端之间;以及一第二电容器,是设于该集成电路的第二电源端与该输入缓冲器的该输入端之间。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |