发明名称 |
存储器宏及电路布局产生方法 |
摘要 |
本发明提供一种存储器宏及电路布局产生方法。其中该电路布局产生方法,适用于使用存储器编译器产生电路布局,包括:产生第一组单元,设置于该电路布局的第一区域;以及产生第二组单元,设置于该第一区域的边缘,该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具有不同的物理尺寸,由此强化依据此电路布局所制造出的装置。该存储器宏,包括第一组单元,设置于存储模块的第一区域,以及第二组单元,设置于第一区域的边缘,第二组单元为可操作的且与第一组单元具有不同的物理尺寸,由此改善位于存储模块的边缘单元的坚固性。本发明可以改善电子装置的性能及合格率。 |
申请公布号 |
CN100499120C |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200610160476.7 |
申请日期 |
2006.11.28 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
邹宗成;李政宏 |
分类号 |
H01L27/00(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;G11C5/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/00(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈 晨 |
主权项 |
1. 一种电路布局产生方法,适用于使用存储器编译器产生电路布局,包括:产生第一组单元,设置于该电路布局的第一区域;以及产生第二组单元,设置于该第一区域的边缘,该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具有不同的物理尺寸。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |