| 发明名称 | 浅沟槽隔离区氧化物沉积方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离区氧化物沉积方法，包括：在半导体衬底上形成一沟槽；形成一侧壁氧化层于所述沟槽的侧壁与底部；以一低温制程沉积第一氧化层于所述侧壁氧化层上；刻蚀所述第一氧化层以扩大第二沉积开口；在所述第一氧化层上沉积第二氧化层。应用HDPCVD执行沉积-刻蚀-沉积工艺，可实现无孔洞的浅沟槽隔离区/膜层氧化物沉积；通过控制沉积反应温度，可降低沉积膜层的致密度，进而获得具有低应力的浅沟槽隔离区/膜层氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN100499066C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610119150.X | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张文广 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种浅沟槽隔离区氧化物沉积方法，包括：在半导体衬底上形成一沟槽；形成一侧壁氧化层于所述沟槽的侧壁与底部；以一低温制程沉积第一氧化层于所述侧壁氧化层上，在所述沟槽顶部形成沉积开口；刻蚀所述第一氧化层以扩大所述沉积开口；在所述第一氧化层上沉积第二氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||