发明名称 半导体集成电路器件的制造方法
摘要 当使用装备有薄膜探针的探针卡执行探针标记检查时,视觉检查系统(51)从视觉上检查检查对象即晶片的主表面的外观,按照在晶片平面中的相应芯片的排列次序,将检查结果,例如在晶片的主表面上粘附了灰尘微粒或晶片主表面上的凸点电极的形状异常,收集为晶片图数据。通过服务器(52)将晶片图数据传送到探针检查系统(53),其中根据晶片图数据,对于其中没有通过视觉检查的芯片,省略探针标记检查,而对于其中通过了视觉检查的其他芯片,执行探针标记检查。
申请公布号 CN100499056C 申请公布日期 2009.06.10
申请号 CN200480043269.2 申请日期 2004.06.09
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 神田信;渡边孝司;广田大介
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1. 一种半导体集成电路器件的制造方法,包括步骤:(a)制备晶片,其中在制造半导体集成电路的工艺中,完成晶片工艺,并且分别在多个芯片区域中形成键合焊盘上方的键合焊盘开口或凸点电极;(b)至少对所述晶片上方的各所述芯片区域中的所述键合焊盘开口或所述凸点电极和它们的周围,执行外观测试;以及(c)当使用薄膜探针使所述芯片区域经受探针测试时,基于所述外观测试的结果,在所述芯片区域之中,对于不适于经受使用所述薄膜探针进行所述探针测试的第一组芯片区域,不执行所述探针测试,而对于不属于所述第一组的第二组芯片区域,使用所述薄膜探针执行所述探针测试;其中所述步骤(b)的所述外观测试包括以下从属步骤:(1)在第一精度下,对所述键合焊盘开口或所述凸点电极和它们的周围执行所述外观测试;以及(2)在比第一精度粗糙的第二精度下,对除所述键合焊盘开口或所述凸点电极和它们的所述周围外的部分,执行所述外观测试。
地址 日本东京都