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Es ist ein Halbleiterbauelement offenbart. Ein Ausführungsbeispiel sieht eine obere Oberfläche vor. Ein erster lateraler Halbleiterbereich ist an der oberen Oberfläche angrenzend angeordnet und umfasst eine Transistorstruktur. Die Transistorstruktur umfasst eine Drainzone eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein zweiter lateraler Halbleiterbereich ist unter dem ersten Halbleiterbereich angeordnet und umfasst eine Sperrschicht-Feldeffekttransistorstruktur. Die Sperrschicht-Feldeffekttransistorstruktur umfasst eine Sourcezone des ersten Leitfähigkeitstyps, die mit der Drainzone der Transistorstruktur elektrisch verbunden ist.
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