| 发明名称 | 双扩散场效应晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过在漂移区离子注入之后，增加一次高温热离子扩散的热过程，从而使得晶体管的漂移区在沟道方向上(横向方向上)和垂直沟道方向上(纵向方向上)能够形成一定的掺杂浓度的梯度，并使整个器件漂移区的横向和纵向方向的结同时都能够耐较高电压，而且拥有近似相等的击穿电压，从而使得器件不会因为局部结的击穿电压较低造成整个器件在较小的电压下就发生击穿，同时也可以在保证满足一定的击穿电压下，可以通过提高漂移区的掺杂浓度来提高晶体管的饱和电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101447434A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710094294.9 | 申请日期 | 2007.11.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;刘俊文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种双扩散场效应晶体管制造方法，包括：进行选择性离子注入形成第一漂移区的工序；形成栅极的工序；形成源极和漏极的工序；其特征在于，还包括：对硅片进行高温离子扩散的热过程。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||