发明名称 一种腔倒空激光器
摘要 本发明涉及一种腔倒空激光器。本发明的技术解决方案是:本发明包括普克尔盒,普克尔盒的电极上接有高压脉冲电路和半导体光电导开关,高压脉冲电路和半导体光电导开关分别接在普克尔盒的两个电极上,高压脉冲电路包括第一电阻(R4)、开关电路(S2)和第一高压电源(HV4),开关电路(S2)的一端分别接普克尔盒的第一电极(P3)和通过第一电阻(R4)接地,另一端接第一高压电源(HV4),半导体光电导开关的一端分别接普克尔盒的第二电极(P4)和通过第二电阻(R3)接第二高压电源(HV3),另一端接地。本发明为解决背景技术中存在的能量损失大、电路结构复杂、稳定性差、系统体积大且工作条件要求高的技术问题。
申请公布号 CN100495834C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200710126721.7 申请日期 2004.12.31
申请人 中国科学院西安光学精密机械研究所 发明人 赵卫;朱少岚;程昭;刘百玉
分类号 H01S3/00(2006.01)I;H01S3/107(2006.01)I;H01S3/115(2006.01)I 主分类号 H01S3/00(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人 商宇科
主权项 1、一种腔倒空激光器,包括普克尔盒,其特征在于:所述普克尔盒的电极上接有高压脉冲电路和半导体光电导开关,所述高压脉冲电路和半导体光电导开关分别接在普克尔盒的两个电极上,所述高压脉冲电路包括第一电阻(R4)、开关电路(S2)和第一高压电源(HV4),开关电路(S2)的一端分别接普克尔盒的第一电极(P3)和通过第一电阻(R4)接地,另一端接第一高压电源(HV4),半导体光电导开关的一端分别接普克尔盒的第二电极(P4)和通过第二电阻(R3)接第二高压电源(HV3),另一端接地。
地址 710068陕西省西安市友谊西路234号
您可能感兴趣的专利