光学半导体器件及其制造方法

摘要

一种光学半导体器件，其被提供有被形成在低浓度p型硅衬底(1)上的低掺杂浓度的n型外延层(第二外延层)(24)；通过离子注入或类似方法被选择性地形成在n型外延层(24)中的低掺杂浓度的p型阳极层(第一扩散层)(25)；被形成在阳极层(25)上的高浓度n型阴极层(第二扩散层)(9)；包括阳极层(25)和阴极层(9)的光接收元件(2)；以及被形成在n型外延层(24)上的晶体管(3)。对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速度晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。

主权项

1、一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括：被形成在第一导电类型的半导体衬底上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，并且所述晶体管被形成在所述第二外延层中。