| 发明名称 | 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高介电常数栅介质薄膜HfSiON的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数的HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅。利用本发明，解决了随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101447420A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178280.5 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 许高博;徐秋霞;柴淑敏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法，其特征在于，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数的铪硅氧氮HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||