发明名称 |
光敏感面积与光不敏感面积的比例增加的光电二极管 |
摘要 |
一种光电二极管,其具有增加的光敏感面积与光不敏感面积的比例,该光电二极管包括具有后侧表面和光敏感前侧表面的半导体。该半导体包括具有第一导电性的第一有源层、具有与第一导电性相反的第二导电性的第二有源层以及将第一和第二有源层分开的本征层。多个隔离沟槽设置为将光电二极管分成多个单元。每个单元都具有包括对光敏感的单元有源前侧面积和对光不敏感的单元无源前侧面积的总前侧面积。单元有源前侧面积构成单元总前侧面积的至少95%。还公开了形成该光电二极管的方法。 |
申请公布号 |
CN101449388A |
申请公布日期 |
2009.06.03 |
申请号 |
CN200780014826.1 |
申请日期 |
2007.03.02 |
申请人 |
艾斯莫斯技术有限公司 |
发明人 |
罗宾·威尔逊;康纳尔·布罗冈;休·J·格里芬;科马克·麦克纳马拉 |
分类号 |
H01L31/062(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/062(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陆锦华;谢丽娜 |
主权项 |
1. 一种光敏感面积与光不敏感面积的比例增加的光电二极管,其包括:半导体,该半导体具有后侧表面和光敏感前侧表面且包括:具有第一导电性的第一有源层,具有与第一导电性相反的第二导电性的第二有源层,和将第一和第二有源层分开的本征层;和多个隔离沟槽,其设置为将光电二极管分成多个单元,每个单元都具有包括对光敏感的单元有源前侧面积和对光不敏感的单元无源前侧面积的总前侧面积,且该单元有源前侧面积构成该单元总前侧面积的至少95%。 |
地址 |
英国北爱尔兰 |