| 发明名称 | 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述p型半导体层露出的那部分n型半导体层上的第一电极；设置在所述p型半导体层上、具有露出所述p型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100495747C | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200510128772.4 | 申请日期 | 1994.04.28 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1. 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述p型半导体层露出的那部分n型半导体层上的第一电极；设置在所述p型半导体层上、具有露出所述p型半导体层的一部分的切口部的第二电极，以及设置在所述切口部、与所述第二电极电连接的焊盘电极，其中，所述第一电极和所述第二电极分别是欧姆电极。 | ||
| 地址 | 日本德岛 | ||