半导体器件

摘要

本发明提供了半导体器件1，其包括其上安装有第一半导体芯片2的第一基板3，其上安装有第二半导体芯片5的第二基板5，和与第一基板3和第二基板5电连接的连接部件6。第一基板3具有叠层31A和31B，在每一个叠层中，含有树脂的绝缘层311和导体互连层312，313交替层叠，导体互连层312通过形成于绝缘层311的通孔中的导电层314被连接。第二基板5也具有叠层31A和31B。在第一基板3和第二基板5中的至少之一的叠层的至少一个绝缘层311，25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少，且25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少。

主权项

1. 半导体器件，其包括：第一基板，其上安装有第一半导体芯片；第二基板，其上安装有第二半导体芯片；以及连接部件，其与所述第一基板的正面以及所述第二基板的背面连接，使所述第一基板与所述第二基板电连接；其中所述第一基板具有叠层，在该叠层中含有树脂的绝缘层和导体互连层交替层叠，且所述的每个导体互连层是通过设置在所述绝缘层的孔内的导电层而连接，所述第二基板具有叠层，在该叠层中含有树脂的绝缘层和导体互连层交替层叠，且所述的每个导体互连层是通过设置在所述绝缘层的孔中的导电层而连接，且第一基板和第二基板的至少一个基板的叠层中的绝缘层中至少一个绝缘层在25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数是30ppm/℃或更少，25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数是30ppm/℃或更少。