发明名称 改善内嵌式动态随机存取存储器速度的无干扰位线写入
摘要 一种操作存储器电路的方法包括提供存储器电路。存储器电路包括一存储器胞;连接到存储器胞的一字线;连接到存储器胞的一第一局部位线与一第二局部位线;以及分别耦合到第一局部位线与第二局部位线的第一全域位线与第二全域位线。此方法进一步包括起始一均等化以使第一局部位线与第二局部位线的电压均等化;停止均等化;以及在起始均等化步骤以后与在停止均等化步骤以前,将数值从第一全域位线与第二全域位线写入到第一局部位线与第二局部位线。
申请公布号 CN101447225A 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200810130691.1 申请日期 2008.07.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 苏布拉马尼·肯杰里;库奥尤安·许;王兵
分类号 G11C11/4094(2006.01)I 主分类号 G11C11/4094(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 章社杲;吴贵明
主权项 1. 一种操作一存储器电路的方法,所述方法包含以下步骤:提供所述存储器电路,所述存储器电路包含:一存储器胞;连接到所述存储器胞的一字线;连接到所述存储器胞的一第一局部位线与一第二局部位线;以及分别耦合到所述第一局部位线与所述第二局部位线的一第一全域位线与一第二全域位线;起始一均等化以使所述第一局部位线与所述第二局部位线的电压均等化;停止所述均等化;以及在起始所述均等化步骤以后与在停止所述均等化步骤以前,将数值从所述第一全域位线与所述第二全域位线写入到所述第一局部位线与所述第二局部位线。
地址 中国台湾新竹市