| 发明名称 | 集成电路闪存器件及其擦除方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101447229A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810128909.X | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌炫;崔正达;崔炳仁 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种集成电路闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器，被构造为在所述集成电路闪存器件的擦除操作期间，向所述虚闪存单元和所述普通闪存单元同时分别施加预定且不同的第一和第二偏压，以使得在所述擦除操作期间，所述虚闪存单元的栅和所述集成电路闪存器件的阱之间的电位差小于所述普通闪存单元的栅和所述集成电路闪存器件的所述阱之间的电位差。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||