| 发明名称 | 一种多晶硅栅极刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。本发明揭示的多晶硅栅极刻蚀的方法，通过清洗掉晶片底层背面多晶硅，来增加晶片的拉应力，从而可以有效避免栅极足的形成、提高晶片性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101442001A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710170615.9 | 申请日期 | 2007.11.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；其特征在于，所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||