半导体受光元件

摘要

本发明提供一种廉价的半导体受光元件，其能以简单的元件结构在未发生边缘击穿之前得到所需要的最低限度的M、或在与PIN-PD相同电平的低电压/恒定电压环境中进行动作。该半导体受光元件的特征在于，其具备：第1导电层(12)，其具有第1导电类型；光吸收层(14)，其设置在第1导电层上；载流子倍增层(20)，其设置在光吸收层上；窗层(40)，其设置在载流子倍增层上且具有无掺杂或所述第1导电类型；以及第2导电区域(42)，其在所述窗层内通过杂质扩散而形成，与所述光吸收层相比能带隙大，并且导电类型与所述第1导电类型不同，当将从光吸收层的下表面到载流子倍增层的上表面的膜厚设为W，将所述第2导电区域的膜厚设为X，将雪崩倍增率设为M时，X/W≥(M-1)²/(2M)。

主权项

1. 一种半导体受光元件，其特征在于，该半导体受光元件具备：第1导电层，其具有第1导电类型；光吸收层，其设置在该第1导电层上；载流子倍增层，其设置在该光吸收层上；窗层，其设置在该载流子倍增层上且具有无掺杂或所述第1导电类型；以及第2导电区域，其在所述窗层内通过杂质扩散而形成，与所述光吸收层相比能带隙大，并且导电类型与所述第1导电类型不同，将从所述光吸收层的下表面到所述载流子倍增层的上表面的膜厚设为W，将所述第2导电区域的膜厚设为X，将雪崩倍增率设为M时，X/W≥(M－1)2/(2M)。