一种真空绝缘结构

摘要

一种真空绝缘结构，特别涉及真空脉冲功率技术领域耐受脉冲电压作用的绝缘结构。其特征在于在基体绝缘材料(1)需耐受真空脉冲电压的与真空接触的表面上设置复合膜层，复合膜层由低二次电子发射系数绝缘材料膜层(2)和金属膜层构成，绝缘材料膜层(2)位于基体绝缘材料(1)表面，金属膜层嵌入基体绝缘材料(1)或嵌入绝缘材料膜层(2)。与基体绝缘材料(1)及绝缘膜层(2)接触处设有过渡金属层(4)。本发明可改变绝缘材料沿面的电场分布，降低绝缘材料沿面的二次电子发射系数，抑制流注放电形式的产生，从而提高绝缘材料的真空沿面闪络电压。本发明可应用于复杂形状绝缘构件的与真空接触的表面，可显著提高其纵向沿面绝缘或径向沿面绝缘的真空沿面闪络场强。

主权项

1、一种真空绝缘结构，其特征在于在基体绝缘材料(1)需耐受脉冲电压的与真空接触的表面上设置复合膜层，复合膜层由低二次电子发射系数绝缘材料膜层(2)和金属膜层构成，低二次电子发射系数绝缘材料膜层(2)为氧化铝陶瓷、或氧化铬陶瓷或类金刚石膜层，金属膜层由主金属膜层(3)及过渡金属层(4)组成，绝缘材料膜层(2)位于轴对称形状的基体绝缘材料(1)表面；主金属膜层(3)的材料为金、钛或锌；过渡金属层(4)位于主金属膜层(3)与基体绝缘材料(1)及绝缘膜层(2)接触面处，过渡金属层(4)为厚度是0.1-0.3微米的铬膜层；所述基底绝缘材料(1)为聚酰亚胺、或聚酰胺、或聚碳酸酯、或尼龙6、或尼龙1010；金属膜层嵌入基体绝缘材料(1)或嵌入绝缘材料膜层(2)；当所述的金属膜层嵌入基体绝缘材料(1)时，金属膜层与绝缘材料膜层(2)呈环状相间分布，金属膜层的外表面与绝缘材料膜层(2)外表面齐平，各金属膜层横截面形状相同，为矩形，各绝缘膜层(2)横截面形状相同，为矩形；金属膜层宽度不大于250微米，厚度不大于200微米，嵌入基体绝缘材料(1)的深度不大于100微米；绝缘材料膜层(2)宽度不大于500微米，厚度不大于100微米；所述的金属膜层嵌入绝缘材料膜层(2)时，各金属膜层呈环状均匀分布在绝缘材料膜层(2)上，金属膜层外表面与绝缘材料膜层(2)外表面齐平；各金属膜层横截面形状相同，为矩形，金属膜层宽度不大于250微米，金属膜层嵌入绝缘膜层(2)深度不大于100微米，各金属膜层中心间距相同，金属膜层间绝缘膜层宽不大于500微米。