| 发明名称 | 白色发光二极管芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及白色发光二极管芯片及其制造方法。白色发光二极管芯片制造方法包括：在包括绝缘体基板、形成在上述绝缘体基板上的缓冲层、形成在上述缓冲层上的第1包层、形成在上述第1包层上而使上述第1包层的上表面中的一部分露出的活性层、形成在上述活性层上的第2包层、及分别形成在上述第2包层和上述第1包层的阳极电极和阴极电极的蓝色发光二极管芯片中，除去上述绝缘体基板的步骤；以及在上述缓冲层下和上述第2包层上中的一个以上形成荧光体层的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101442095A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810181346.0 | 申请日期 | 2008.11.19 |
| 申请人 | 日进半导体株式会社 | 发明人 | 金河哲 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许 静 |
| 主权项 | 1. 一种白色发光二极管芯片制造方法，其特征在于，包括：在包括绝缘体基板、形成在上述绝缘体基板上的缓冲层、形成在上述缓冲层上的第1包层、形成在上述第1包层上而使上述第1包层的上表面中的一部分露出的活性层、形成在上述活性层上的第2包层、及分别形成在上述第2包层和上述第1包层的阳极电极和阴极电极的蓝色发光二极管芯片中，除去上述绝缘体基板的步骤；以及在上述缓冲层下和上述第2包层上中的一个以上形成荧光体层的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||