| 发明名称 | 非易失性半导体存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性半导体存储器及其操作方法，存储器包括：具有有源区和场区的半导体衬底；至少两个非易失性存储晶体管，每个非易失性存储晶体管有在有源区的存储器和在存储器的控制栅，每一个控制栅置于单个控制板中；和至少两个选择晶体管，每个选择晶体管对应每个非易失性存储晶体管，每个选择晶体管连接到对应的每个非易失性存储晶体管，用于选择对应的每个非易失性存储晶体管，其中选择晶体管经选择晶体管和非易失性存储晶体管共享的PN-结串联连接到非易失性存储晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100492541C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN01823579.4 | 申请日期 | 2001.12.05 |
| 申请人 | 崔雄林 | 发明人 | 崔雄林 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;陈 红 |
| 主权项 | 1、一种非易失性半导体存储器，包括：半导体衬底，具有有源区和场区；至少两个非易失性存储晶体管，每个非易失性存储晶体管有在有源区的存储器和在存储器处的控制栅，其中，每个控制栅置于单个控制板中；和至少两个选择晶体管，每个选择晶体管对应每个非易失性存储晶体管，其中，每个选择晶体管连接到对应的每个非易失性存储晶体管，用于选择对应的非易失性存储晶体管，其中，选择晶体管经选择晶体管和非易失性存储晶体管共享的PN-结串联连接到非易失性存储晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||