| 发明名称 | 薄膜处理设备 | ||
| 摘要 | 一种薄膜处理设备包含：腔，其包含反应空间；上部电极，其在所述腔中且包含围绕所述上部电极的中心部分的多个通孔；气体分布板，其在所述上部电极下方且包含分别对应于所述多个通孔的多个接纳孔；耦合装置，其通过所述通孔并插入到所述接纳孔中以将所述上部电极与所述气体分布板耦合；下部电极，其上放置衬底，且面向所述气体分布板，所述反应空间在所述下部电极与所述气体分布板之间；密封部分，其在所述上部电极的顶部表面处并围绕所述通孔，所述密封部分是O形环；以及至少一个冷却部分，其包含冷却路径以冷却所述密封部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101440485A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810177661.6 | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 车安基;崔宰旭;金东辉;金友镇 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孟 锐 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜处理设备，其包括：腔，其包含反应空间；上部电极，其在所述腔中且包含围绕所述上部电极的中心部分的多个通孔；气体分布板，其在所述上部电极下方且包含分别对应于所述多个通孔的多个接纳孔；耦合装置，其通过所述通孔并插入到所述接纳孔中以将所述上部电极与所述气体分布板耦合；下部电极，其上放置衬底，且面向所述气体分布板，所述反应空间在所述下部电极与所述气体分布板之间；密封部分，其在所述上部电极的顶部表面处并围绕所述通孔，所述密封部分是O形环；以及至少一个冷却部分，其包含冷却路径以冷却所述密封部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||