| 发明名称 | 一种新型的锑/氧化锑pH测量电极 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种制作简单、成本低的新型的锑/氧化锑pH测量电极。它包括制作在基板上的锑/氧化锑氢离子选择电极和与之配套的参比电极，所述锑/氧化锑氢离子选择电极包括厚膜印刷而成碳浆层，碳浆层表面电镀有氧化锑层。本实用新型可以通过厚膜印刷和电镀相结合的工艺制作锑/氧化锑pH测量电极，能大大降低金属材料的消耗，并且，可以在各种不同的基底材料上，如陶瓷、高分子材料等制作pH测量电极，以满足不同使用场合的需要。另外，采用厚膜印刷工艺，可以方便的制备各种不同形状和大小的电极，实现批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN201247218Y | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200820085700.5 | 申请日期 | 2008.04.09 |
| 申请人 | 叶璟 | 发明人 | 叶璟 |
| 分类号 | G01N27/333(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/333(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人 | 刘晓春 |
| 主权项 | 1、一种新型的锑/氧化锑pH测量电极，其特征在于它包括制作在基板上的锑/氧化锑氢离子选择电极和与之配套的参比电极，所述锑/氧化锑氢离子选择电极包括厚膜印刷而成碳浆层，碳浆层表面电镀有氧化锑层。 | ||
| 地址 | 310012浙江省杭州市西湖区马塍路34-1-302 | ||