| 发明名称 | 参考电压电路及共栅结构前端放大电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种参考电压电路及包含该电路的共栅结构前端放大电路，参考电压电路包括一第三电流源、一第六PMOS管、一第五NMOS管、一可变电阻和一第六电阻，第三电流源的输入端连接电源电压，其输出端连接第六PMOS管的源极，第六PMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极形成参考电压输出端，可变电阻和第六电阻依次串联在第五NMOS管的源极和接地端之间，第五NMOS管的栅极连接第一偏置电压，第六PMOS管的栅极连接第二偏置电压。本发明的参考电压电路结构简单，适当选择两个偏置电压以及其它器件参数就能实现对共栅放大电路静态工作点的跟踪，避免造成信号的失真问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101441493A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810187657.8 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 苏州市华芯微电子有限公司 | 发明人 | 陈志明;谢卫国;石万文;江石根;杜坦 |
| 分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华夏博通专利事务所 | 代理人 | 安纪平 |
| 主权项 | 1、一种参考电压电路，其特征在于包括一第三电流源(I3)、一第六PMOS管(M6)、一第五NMOS管(M5)、一可变电阻(R5)和一第六电阻(R6)，第三电流源(I3)的输入端连接电源电压(VDD)，其输出端连接第六PMOS管(M6)的源极，第六PMOS管(M6)的漏极连接第五NMOS管(M5)的漏极形成参考电压输出端(Vref)，可变电阻(R5)和第六电阻(R6)依次串联在第五NMOS管(M5)的源极和接地端之间，第五NMOS管(M5)的栅极连接第一偏置电压(Vbias1)，第六PMOS管(M6)的栅极连接第二偏置电压(Vbias2)。 | ||
| 地址 | 215011江苏省苏州市新区滨河路625号 | ||