| 主权项 |
1.可补偿片上LC网络损耗的镜像抑制滤波装置，其特征在于，片上含有依次串接的低噪声放大器、镜像抑制滤波器以及片上自动Q值调谐电路，其中：低噪声放大器，含有：第一MOS晶体管(M0)和第二MOS晶体管(M1)，其中第一MOS晶体管(M0)的栅极依次串接第一电感(Lg<sub>1</sub>)、第一电容(Cp<sub>1</sub>)后接输入电压正端(<img file="C200610112604C0002094656QIETU.GIF" wi="69" he="89" />)，第二MOS晶体管(M1)的栅极依次串接第二电感(L<sub>g2</sub>)、第二电容(C<sub>p2</sub>)后接输入电压负端(<img file="C200610112604C0002094714QIETU.GIF" wi="65" he="65" />)；第一MOS晶体管(M0)的源极接第三电感(L<sub>s1</sub>)，第二MOS晶体管(M1)的源极接第四电感(L<sub>s2</sub>)；第一MOS晶体管(M0)的栅极和第二MOS晶体管(M1)的栅极之间依次串接着第一电阻(R<sub>B1</sub>)和第二电阻(R<sub>B2</sub>)，第一电阻(R<sub>B1</sub>)和第二电阻(R<sub>B2</sub>)的连接点上有直流偏压(V<sub>B</sub>)；尾电流源I<sub>S</sub>，它的一端同时与第三电感L<sub>s1</sub>、第四电感L<sub>s2</sub>的另一端相连，而尾电流源I<sub>S</sub>的另一端接地；第三MOS晶体管(M2)和第四MOS晶体管(M3)，其中第三MOS晶体管(M2)的漏极作为该低噪声放大器的一个输出端(<img file="C200610112604C0002094755QIETU.GIF" wi="71" he="71" />)，又同时连接着第五电感(L<sub>d1</sub>)，第四MOS晶体管(M3)的漏极作为该低噪声放大器的另一个输出端(<img file="C200610112604C0002094810QIETU.GIF" wi="80" he="80" />)，同时所述第四MOS晶体管(M3)的漏极又连接着第六电感(L<sub>d2</sub>)；第三MOS晶体管(M2)的栅极与第五电感(L<sub>d1</sub>)的另一端共同接电源(V<sub>DD</sub>)，第四MOS晶体管(M3)的栅极与第六电感(L<sub>d2</sub>)的另一端相连后也接电源(V<sub>DD</sub>)；第三MOS晶体管(M2)的源极和第一MOS晶体管(M0)的漏极相连后构成第一MOS晶体管(M0)的输出电流的第一分流点(X)，第四MOS晶体管(M3)的源极和第二MOS晶体管(M1)的漏极相连后构成第二MOS晶体管(M1)的输出电流的第二分流点(Y)；镜像抑制滤波器，含有：构成互耦对的第五MOS晶体管(M4)和第六MOS晶体管(M5)，第五MOS晶体管(M4)的源极和第六MOS晶体管(M5)的源极相连后接地，第五MOS晶体管(M4)的栅极与第六MOS晶体管(M5)的漏极相连，而第六MOS晶体管(M5)的栅极与第五MOS晶体管(M4)的漏极相连，第五MOS晶体管(M4)的漏极、第六MOS晶体管(M5)的漏极分别构成包络信号输出正端(M)和包络信号输出负端(N)，包络信号输出正端(M)和包络信号输出负端(N)分别与第一二极管(D1)的正极和第二二极管(D2)的正极相连，而第一二极管(D1)、第二二极管(D2)的负极相连后接镜像频率控制电压输入端(V<sub>FC</sub>)；第一LC网络，由第三电容(C<sub>B1</sub>)和第七电感(L<sub>n2</sub>)串接而成，串接点在包络信号输出负端(N)，第三电容(C<sub>B1</sub>)的另一端与第一分流点(X)相连；第二LC网络，由第四电容(C<sub>B2</sub>)和第八电感(L<sub>n1</sub>)串接而成，串接点在包络信号输出正端M，第四电容(C<sub>B2</sub>)的另一端与第二分流点(Y)相连；数控电流源，它的输入端接电源(V<sub>DD</sub>)，它的控制信号输入端与片上自动(Q)值调谐电路输出端相连，它的输出端同时接第八电感(L<sub>n1</sub>)和第七电感(L<sub>n2</sub>)的另一端，输出电流<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><msub><mi>I</mi><mi>q</mi></msub><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><munderover><mi>Σ</mi><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>0</mn></mrow><mn>8</mn></munderover><msup><mn>2</mn><msub><mi>b</mi><mi>i</mi></msub></msup><mo>)</mo></mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths>其中：I<sub>0</sub>为一个单位电流，b<sub>i</sub>为该数控电流源的9位数字控制信号中的第i位，i＝0，1，…，8；片上自动Q值调谐电路，含有包络检测器、比较器和数字信号处理器，其中：包络检测器，含有：第七MOS晶体管(M6)和第八MOS晶体管(M7)，第七MOS晶体管(M6)的栅极与镜像抑制滤波器中的包络信号输出负端(N)相连，第八MOS晶体管(M7)的栅极与镜像抑制滤波器中的包络信号输出正端(M)相连；第八MOS晶体管(M7)的漏极与第七MOS晶体管(M6)的漏极相连后接电源(V<sub>DD</sub>)；电流源(I<sub>T</sub>)，它的一端同时与第七MOS晶体管(M6)的源极、第八MOS晶体管(M7)的源极以及第五电容(C<sub>T</sub>)的一端相连后构成包络检测器的输出端(T)，而电流源(I<sub>T</sub>)的另一端和第五电容(C<sub>T</sub>)的另一端相连后接地；比较器，该比较器的正输入端与包络检测器的输出端(T)相连，负输入端接直流参考电压(V<sub>REF</sub>)，而该比较器的输出为一位数字信号，比较器的输出为高电平表示包络检测器的输入端存在信号，镜像抑制滤波器产生了振荡，而比较器的输出为低电平表示包络检测器的输入端不存在信号，镜像抑制滤波器没有产生振荡；数字信号处理器，输入端与比较器的输出端相连，数字信号处理器采用逐次逼近算法来确定数控电流源的9位输入数字控制信号b<sub>0</sub>，b<sub>1</sub>，…，b<sub>8</sub>的值，逐次逼近算法按以下步骤进行：a.在第1个时钟周期，把数控电流源的数字控制信号置为000000000，包络检测器的输入信号为0，比较器的输出为低电平；b.在第2个时钟周期，把数控电流源的数字控制信号置为100000000，若比较器的输出为高电平，则关键数字控制信号的值应小于100000000，其最高位(b<sub>8</sub>)应为0，否则若比较器的输出为低电平，则最高位(b<sub>8</sub>)应为1；c.按步骤b所述方法来判断该数字控制信号的次高位(b<sub>7</sub>)；d.依此类推，一直到第9位(b<sub>0</sub>)为止，得到一个既不会使镜像抑制滤波器产生振荡，但又使互耦对提供的能量最接近于第一或第二LC网络损耗的数字控制信号值。 |
