| 发明名称 | 一种测试负偏压下温度不稳定性的方法 | ||
| 摘要 | 一种测试负偏压下温度不稳定性的方法，涉及半导体工艺制程领域。本发明包括如下步骤：1.一种测试负偏压下温度不稳定性的方法，其特征在于：步骤1，首先对栅电压施加的应力，将栅电压提高为栅电压；然后在t时间内将栅电压降低为一个绝对值小于等于工作电压的值；步骤2，在恢复阶段结束时，即下一应力阶段开始前，测量MOS晶体管；步骤3，循环执行步骤1和步骤2，直到累积应力时间达到可靠性测试标准。本发明能准确地测试负偏压下温度不稳定性效应，提高了对半导体产品进行可靠性评估的准确性，有利于进行负偏压温度不稳定性的工艺改善，缩短产品研发周期，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101441245A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710170623.3 | 申请日期 | 2007.11.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 靳磊 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1. 一种测试负偏压下温度不稳定性的方法，其特征在于：步骤1，首先对栅电压施加的应力，将栅电压提高为栅电压；然后在t时间内将栅电压降低为一个绝对值小于等于工作电压的值；步骤2，在恢复阶段结束时，即下一应力阶段开始前，测量MOS晶体管；步骤3，循环执行步骤1和步骤2，直到累积应力时间达到可靠性测试标准。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||