薄膜形成装置及其使用方法

摘要

一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。

主权项

1. 一种用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于：为了除去堆积在从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序来进行清洁处理，其中，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体从而活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。