| 发明名称 | 波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明梯度渐变缓冲层结构以及适合正面进光并可减小表面复合和提高量子效率的透明窗口层结构。本发明的宽禁带缓冲层及窗口层结构既适合于采用背面进光及倒扣封装结构的单元或阵列器件，也适合于采用常规正面进光结构的单元或阵列器件，具有很好的通用性。 | ||
| 申请公布号 | CN100492670C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710041778.7 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张永刚;顾溢;田招兵 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种包括缓冲层和窗口层的用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带的结构，其特征在于在衬底和波长扩展的InxGa1-xAs三元系吸收材料层之间插入禁带宽度大于波长扩展InxGa1-xAs光吸收层材料的含铝三元或四元异质材料体系的缓冲层，在波长扩展的InxGa1-xAs三元系光吸收层材料上沉积含铝三元或四元透明异质材料层作为窗口层；所述的衬底为InP或GaAs；所述的波长扩展InxGa1-xAs光吸收层中0.53<x<1；所述的禁带宽度大于波长扩展InxGa1-xAs光吸收层材料的含铝三元或四元异质材料为InyAl1-yAs和InyAl1-yGaAs，式中0.52<y<1。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||