| 发明名称 | 半导体芯片的金属化源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。另外，本发明也涉及一种半导体封装结构，其包含有数个内连接层板，设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101443895A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200680035632.5 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 孙明;何约瑟 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 白璧华 |
| 主权项 | 1. 一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其特征在于，包含步骤：(a)植入镍至该半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域；及(b)在完成步骤(a)之后，植入金至该半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔顿 | ||