发明名称 RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20090051990(A) 申请公布日期 2009.05.25
申请号 KR20070118481 申请日期 2007.11.20
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 HAN, BYOUNG HEE
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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