ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON A SOLUBLE FULLERENE DERIVATIVE
摘要
<p>Die Erfindung betrifft einen n-Kanal-Feldeffekttransistor, einen ambipolaren Feldeffekttransistor sowie darauf basierende Schaltungen, die als Halbleiter lösliche Fullerenderivate oder ein Gemisch mit diesen Fullerenderivaten enthalten. Es wird ein Verfahren zur Herstellung derartiger Feldeffekttransistoren beschrieben.</p>
申请公布号
WO2009062457(A1)
申请公布日期
2009.05.22
申请号
WO2007DE02061
申请日期
2007.11.13
申请人
THUERINGISCHES INSTITUT FUER TEXTIL- UND KUNSTSTOFF-FORSCHUNG E.V.;SENSFUSS, STEFFI;BLANKENBURG, LARS;SCHROEDNER, MARIO
发明人
SENSFUSS, STEFFI;BLANKENBURG, LARS;SCHROEDNER, MARIO
