半导体装置及其制造方法、与其所使用的图罩

摘要

本发明是提供一种半导体装置及其制造方法、与其所使用的图罩。上述一种半导体装置，其在一基底上具有为一隔离结构所隔离的主动区，其中在上述主动区内，上述半导体装置包含：一栅极于上述基底上，其延伸横越上述主动区；一源极区与一漏极区，置于上述栅极二侧的基底上；以及一栅极介电层，置于上述基底与上述栅极之间，其包含相对较厚的一高压介电质区、与厚度相对较薄的一低压介电质区，其中上述高压介电质区是占据着上述漏极、上述隔离结构、与上述栅极所交界的一第一交界区及上述源极、上述隔离结构、与上述栅极所交界的一第二交界区。本发明可有效改善因场氧化层所造成的低击穿电压的问题，并能够减少制程步骤与成本。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置在一基底上具有为一隔离结构所隔离的主动区，其中在该主动区内，该半导体装置包含：一栅极于该基底上，其延伸横越该主动区；一源极区与一漏极区，置于该栅极二侧的基底上；以及一栅极介电层，置于该基底与该栅极之间，其包含一高压介电质区、与一低压介电质区，其中，高压介电质区的厚度比低压介电质区的厚度厚；该高压介电质区是占据着该漏极区、该隔离结构、与该栅极所交界的一第一交界区及该源极区、该隔离结构与该栅极所交界的一第二交界区。