CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中n-型杂质区形成在光电二极管和转移晶体管之间，以便减少暗电流和死区。该CMOS图像传感器包括：第一导电类型的半导体基板，包括光电二极管区和晶体管区；栅电极，形成在所述基板的晶体管区上；第二导电类型的第一杂质区，形成在所述光电二极管区和所述栅电极之间的半导体基板的部分中；以及第二导电类型的第二杂质区，形成在所述半导体基板的光电二极管区中。

主权项

1. 一种制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤：制备包括光电二极管区和晶体管区的第一导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的晶体管区上形成栅电极；在所述光电二极管区和所述栅电极之间的所述半导体基板的表面中形成第二导电类型的第一杂质区；在所述半导体基板的光电二极管区中形成第二导电类型的第二杂质区；在所述半导体基板的对应于所述第二杂质区的上表面的部分中形成第一导电类型的杂质区。