发明名称 |
热辅助磁记录的集成装置 |
摘要 |
一种装置包括配置成将电磁波汇聚于焦点区的第一波导以及进一步使光集中至光点的第二波导。第二波导包括界定一端位于焦点区附近的开口以及位于该开口中的多层结构的金属结构,所述多层结构包括第一介电材料层以及位于所述第一层相对侧的第二和第三介电材料层。可将具有比第一介电层更低的折射率的层设置在第二波导中的开口的内壁附近,以有效地激发表面等离子体激元,并将其低损耗地传播。 |
申请公布号 |
CN101436409A |
申请公布日期 |
2009.05.20 |
申请号 |
CN200810176156.X |
申请日期 |
2008.11.05 |
申请人 |
希捷科技有限公司 |
发明人 |
彭初兵;金旭辉 |
分类号 |
G11B5/127(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I;G11B5/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/127(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈 炜 |
主权项 |
1. 一种装置,包括:第一波导,其配置成将电磁波汇聚于焦点区;以及第二波导,其包括界定一端位于所述焦点区附近的开口以及位于所述开口中的多层结构的金属结构,所述多层结构包括第一介电材料层以及在所述第一层相对侧的第二和第三介电材料层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |