发明名称 分离式波长转换单元的发光二极管光源装置及其波长转换单元
摘要 本发明是有关于一种分离式波长转换单元的发光二极管光源装置及其波长转换单元。该分离式波长转换单元的发光二极管光源装置,包括:一波长转换单元,其包括:一光学元件,其具有一表面;及一波长转换层,其形成于该表面;以及至少一发光二极管,设置于激发该波长转换层的位置,又每一该发光二极管包括:一基座;一发光二极管晶片,设置于该基座上;及一透镜,形成于该基座上并覆盖该发光二极管晶片。本发明藉由将波长转换层形成于光学元件的表面,可以简化发光二极管的制程,并且可以提高生产产品的优良率。又本发明通过波长转换单元与发光二极管分离设置可以增加发光二极管光源装置的应用,进而能够达到光学设计上所需呈色的均匀性及效果。
申请公布号 CN101436582A 申请公布日期 2009.05.20
申请号 CN200710165978.3 申请日期 2007.11.14
申请人 精碟科技股份有限公司 发明人 邓国欣;陈宏伦;李财南;吴志蔚;黄清源
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21V13/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1、一种分离式波长转换单元的发光二极管光源装置,其特征在于其包括:一波长转换单元,其包括:一光学元件,其具有一表面;及一波长转换层,其形成于该表面;以及至少一发光二极管,设置于激发该波长转换层的位置,又每一该发光二极管包括:一基座;一发光二极管晶片,设置于该基座上;及一透镜,形成于该基座上并覆盖该发光二极管晶片。
地址 中国台湾台北县